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手機V-charge端口ESD和EOS防護方案整改

發(fā)表日期:2022-11-10瀏覽:919

針對手機V-charge端口防護,有客戶反饋,使用單顆12V靜電ESD保護二極管(有客戶習慣把ESD二極管稱為TVS)作為端口浪涌防護器件,浪涌測試后,系統(tǒng)開機失敗。為了解決這個現(xiàn)象,客戶特意向杭州東沃電子(DOWOSEMI)請教這個問題,并希望能夠提出意見并整改好好這個方案。經(jīng)過失效分析結果顯示,ESD二極管和后級IC均有損壞點。實驗室復現(xiàn)失效,器件表面塑封體熔融,器件內部芯片呈現(xiàn)較大區(qū)域燒毀點,確定為長時間過電壓導致失效。

手機V-charge端口.jpg

針對這個現(xiàn)象,東沃電子FAE工程師提出了解決方法和整改方案,具體詳情如下:

1)受測設備:手機;

2)測試標準:IEC61000-4-5,1.2/50-8/20us,2Ω,EOS 350V, DC 24V;

3)解決方法:更換24V 靜電ESD保護二極管器件作為端口浪涌防護器件,并搭載型號為WP3116的OVP器件,浪涌測試等級可至350V浪涌等級測試,同時滿足DC 24V直流耐壓測試; 

4)整改后優(yōu)勢:更換浪涌防護等級更高的24V靜電ESD保護二極管器件進行浪涌防護,同時殘余能量被后級OVP吸收。測試直流耐壓時,靜電ESD保護二極管不動作,OVP進行過壓關斷,從而起到更好保護。

ESD防護方案.jpg

TVS 1-TVS 3型號:DW05DUCF-E、DW05MUC-E;
TVS 4型號:DW24P4N3-S;
TVS 5型號:DW4.5P4N3-S、DW4.5P4N3-B-S;
OVP型號:WP3116;

手機ESD-3.jpg


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